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  • Y-OSLO-100奧斯陸蒸發(fā)結(jié)晶器

    奧斯陸蒸發(fā)結(jié)晶器又稱為克里斯塔爾結(jié)晶器,它的主要特點(diǎn)為過飽和度產(chǎn)生的區(qū)域與晶體生長(zhǎng)區(qū)分別設(shè)置在結(jié)晶器的兩處,晶體在循環(huán)母液中流化懸浮,為晶體生長(zhǎng)提供一個(gè)良好的條件。

    訪問次數(shù):1289
    型號(hào):Y-OSLO-100
    更新日期:2023-05-24
  • OSLO-30-1奧斯陸蒸發(fā)結(jié)晶器 氨氮廢水高鹽多效蒸發(fā)器

    奧斯陸蒸發(fā)結(jié)晶器 氨氮廢水高鹽多效蒸發(fā)器又稱為克里斯塔爾結(jié)晶器,它的主要特點(diǎn)為過飽和度產(chǎn)生的區(qū)域與晶體生長(zhǎng)區(qū)分別設(shè)置在結(jié)晶器的兩處,晶體在循環(huán)母液中流化懸浮,為晶體生長(zhǎng)提供一個(gè)良好的條件。

    訪問次數(shù):1016
    型號(hào):OSLO-30-1
    更新日期:2023-05-11
  • OSLO-30-1強(qiáng)制外循環(huán)奧斯陸蒸發(fā)器 結(jié)晶裝置

    強(qiáng)制外循環(huán)奧斯陸蒸發(fā)器 結(jié)晶裝置 又稱為克里斯塔爾結(jié)晶器,它的主要特點(diǎn)為過飽和度產(chǎn)生的區(qū)域與晶體生長(zhǎng)區(qū)分別設(shè)置在結(jié)晶器的兩處,晶體在循環(huán)母液中流化懸浮,為晶體生長(zhǎng)提供一個(gè)良好的條件。

    訪問次數(shù):940
    型號(hào):OSLO-30-1
    更新日期:2023-05-10
  • Y-OSLO-100奧斯陸結(jié)晶蒸發(fā)器高效濃縮蒸發(fā)機(jī)組

    奧斯陸結(jié)晶蒸發(fā)器高效濃縮蒸發(fā)機(jī)組 又稱為克里斯塔爾結(jié)晶器,它的主要特點(diǎn)為過飽和度產(chǎn)生的區(qū)域與晶體生長(zhǎng)區(qū)分別設(shè)置在結(jié)晶器的兩處,晶體在循環(huán)母液中流化懸浮,為晶體生長(zhǎng)提供一個(gè)良好的條件。

    訪問次數(shù):1498
    型號(hào):Y-OSLO-100
    更新日期:2023-05-10
  • Y-OSLO-100結(jié)晶器氨氮廢水多效蒸發(fā)器

    結(jié)晶器氨氮廢水多效蒸發(fā)器 它的主要特點(diǎn)為過飽和度產(chǎn)生的區(qū)域與晶體生長(zhǎng)區(qū)分別設(shè)置在結(jié)晶器的兩處,晶體在循環(huán)母液中流化懸浮,為晶體生長(zhǎng)提供一個(gè)良好的條件。

    訪問次數(shù):1608
    型號(hào):Y-OSLO-100
    更新日期:2023-05-10
  • Y-OSLO-100污水處理三效強(qiáng)制循環(huán)蒸發(fā)結(jié)晶器系統(tǒng)

    污水處理三效強(qiáng)制循環(huán)蒸發(fā)結(jié)晶器系統(tǒng),它的主要特點(diǎn)為過飽和度產(chǎn)生的區(qū)域與晶體生長(zhǎng)區(qū)分別設(shè)置在結(jié)晶器的兩處,晶體在循環(huán)母液中流化懸浮,為晶體生長(zhǎng)提供一個(gè)良好的條件。

    訪問次數(shù):1008
    型號(hào):Y-OSLO-100
    更新日期:2023-05-10
  • Y-OSLO-100升膜蒸發(fā)濃縮設(shè)備敞槽結(jié)晶器

    升膜蒸發(fā)濃縮設(shè)備敞槽結(jié)晶器又稱為克里斯塔爾結(jié)晶器,它的主要特點(diǎn)為過飽和度產(chǎn)生的區(qū)域與晶體生長(zhǎng)區(qū)分別設(shè)置在結(jié)晶器的兩處,晶體在循環(huán)母液中流化懸浮,為晶體生長(zhǎng)提供一個(gè)良好的條件。

    訪問次數(shù):1359
    型號(hào):Y-OSLO-100
    更新日期:2023-05-10
  • Y-OSLO-100高效強(qiáng)制循環(huán)蒸發(fā)結(jié)晶器

    高效強(qiáng)制循環(huán)蒸發(fā)結(jié)晶器又稱為克里斯塔爾結(jié)晶器,它的主要特點(diǎn)為過飽和度產(chǎn)生的區(qū)域與晶體生長(zhǎng)區(qū)分別設(shè)置在結(jié)晶器的兩處,晶體在循環(huán)母液中流化懸浮,為晶體生長(zhǎng)提供一個(gè)良好的條件。

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    型號(hào):Y-OSLO-100
    更新日期:2023-05-10
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